Derzeit weit verbreitete Bearbeitungsmethoden wie Schneiden, Schleifen, Polieren usw. aufgrund des Vorhandenseins von Mikrorissen in den verarbeiteten Materialien oder Qualitätsmängeln in der Kristallisation, unabhängig davon, wie die Bearbeitungsgenauigkeit verbessert und die Bearbeitungsausrüstung verbessert werden kann. es gibt immer gewisse einschränkungen. Professor Mori Yongzheng, Fakultät für Ingenieurwissenschaften, Universität Osaka, Japan, schlug ein neues Verarbeitungsverfahren unter Verwendung von chemischem Gas vor, das sogenannte Plasma-CVM-Verfahren, eine Technologie, die atomare chemische Reaktionen nutzt, um ultrapräzise Oberflächen zu erhalten. Sein Bearbeitungsprinzip Wie beim Plasmaätzen reagieren im Plasma die aktivierten freien Radikale mit der Oberfläche des Werkstücks, verwandeln sie in flüchtige Moleküle, und die Bearbeitung erfolgt durch Gasverdampfung, und das Plasma wird unter hohem Druck erzeugt. , in der Lage, sehr hohe Dichten zu erzeugen
freie Radikale, so dass mit diesem Verarbeitungsverfahren vergleichbare Verarbeitungsgeschwindigkeiten wie bei mechanischen Verarbeitungsverfahren erreicht werden können.
Bei hohen Drücken wird das Plasma aufgrund der extrem kleinen mittleren freien Weglänge der Gasmoleküle in der Nähe der Elektroden eingeschlossen. So kann es durch Elektrodenscannen bearbeitet werden, O. Teile beliebiger Form mit einer Genauigkeit von 01μm können auch eine Einkristall-Siliziumebene mit einer Geschwindigkeit von 50μm/min bearbeiten, und die Oberflächenrauheit des bearbeiteten Werkstücks kann 0,1 nm (Rrms) erreichen.
Im nächsten Jahrhundert wird die CVM-Technologie auf vielen Gebieten wie der Verarbeitung von Siliziumchips und der Verarbeitung asphärischer Linsen für Halbleiter-Belichtungsgeräte angewendet. Derzeit untersuchen einige Leute die Kombination von CVM und EEM, um Atome wie Röntgenspiegel für Synchrotrons zu verarbeiten. Eine flache beliebige Oberfläche.